TY - JOUR AU - Kritskaya, Tatyana AU - Bytkin, Sergey PY - 2018/09/23 Y2 - 2024/03/29 TI - Перспективні напівпровідникові матеріали для використання в силовій електроніці JF - Вісник Національного технічного університету «ХПІ». Серія: Нові рішення у сучасних технологіях JA - Вісник НТУ "ХПІ" VL - 1 IS - 26(1302) SE - Прилади і пристрої силової електроніки DO - 10.20998/2413-4295.2018.26.21 UR - http://vestnik2079-5459.khpi.edu.ua/article/view/2413-4295.2018.26.21 SP - 148-161 AB - <p>Технології високотемпературних і радіаційно стійких силових напівпровідникових приладів (СНП) використовують структури на основі SiC, GaN. Світовий ринок дискретних силових приладів в 2024 р становитиме ~ $ 23 млрд., Частка приладів на основі кремнію ≅87%. Запропоновано методи спеціального легування монокристалів CZ-Si і обробки, що підвищує механічні властивості Si, а також радіаційну і термічну стабільність СНП на основі CZ-Si&lt;Ge&gt;.</p> ER -