Вивчення процесів кристалізації карбіду кремнію шляхом спільного розкладання тетрахлориду кремнію і толуолу в присутності водню - Глушко, П. И.; Журавлев, А. Ю.; Капустин, В. Л.; Семёнов, Н. А.; Хованский, Н. А.; Широков, Б. М.; Шиян, А. В. (Вісник Національного технічного університету «ХПІ». Серія: Нові рішення у сучасних технологіях, 2011)
Описано принцип отримання карбіду кремнію на установці проточного типу. Залежно від різного співвідношення між активними компонентами газової фази SiCl4: C7H8, які надходять в реактор, досліджена і вивчена морфологія SiC шару. Показано вплив швидкості парогазового потоку і температури підкладки на швидкість осадження SiC