ОЦІНКА ЕНЕРГЕТИЧНОЇ ЗОННОЇ СТРУКТУРИ НАПІВГЕРСЛЕРОВОГО СПЛАВУ LiZnX (X = As, P та Sb) ЗА ДОПОМОГОЮ ПЕРШОГО ПРИНЦИПНОГО РОЗРАХУНКУ
DOI:
https://doi.org/10.20998/2413-4295.2023.03.02Ключові слова:
структура енергетичних зон, напівгерслерові сплави, теорія функціонала густини, густина станів, напівпровідник, заборонена зонаАнотація
Оцінка структури енергетичних зон відіграє важливу роль у розумінні електронних властивостей матеріалів. У цій роботі представлено дослідження структури енергетичних зон напівгерселерових сплавів LiZn (X = As, P, та Sb) за допомогою підходу першого принципу, основаного на теорії функціонала густини (DFT). Ці сплави є особливо цікавими через їх потенційні застосування в термоелектричних та спінтронічних пристроях. Відповідна густина станів (DOS) для тричасткових сполук LiZnX (X = As, P, та Sb) була розрахована, і внески орбіталей Li, Zn, As, P та Sb до густини станів при атмосферному тиску були визначені. Це також підтвердило, що LiZnX (X = As, P, та Sb) є напівпровідником із вузькою забороненою зоною між зайнятими та незайнятими областями навколо рівня Фермі. Орбіталі Li -1s, As-4p, As-4s та Zn-3d мають найбільший внесок. Спостерігається переважання орбіталей P-1s та P-2p перед рівнем Фермі та Zn-2p після рівня Фермі. Також спостерігається переважання орбіталей Sb-1s, Sb-3d, Li-1s, Li-2s, Zn-3d зі слабкою гібридизацією та низьким внеском. Це свідчить про слабкий ковалентний зв'язок між цими двома атомами, що може бути відповідальним за спостережену механічну нестійкість при розрахунках. Тим часом розрахована та представлена структура енергетичних зон має вузьку заборонену зону розміром відповідно 0.625, 0.937 та 0.313 для тричасткової сполуки LiZnX (X = As, P, та Sb), і це прямий напівпровідник з забороненою зоною. Отримані структури енергетичних зон надають цінну інформацію про електронні властивості сплавів LiZn (X = As, P, та Sb). Наявність забороненої зони є важливою для термоелектричних застосувань, оскільки це вказує на наявність областей, де електрони та дірки обмежені, що сприяє ефективному транспорту заряду.
Посилання
Zhang S., Liu Z., & Liu Y. First-principles investigation on the electronic structure and thermoelectric properties of LiZn (X = As, P, and Sb) half-Heusler alloys. Journal of Alloys and Compounds, 2019, 784, pp. 1050-1057, doi:10.1016/j.jallcom.2019.01.315.
Curnoe S. H., Cadogan J. M., & Graedel T. E. Half-Heusler alloys: Fundamentals and applications. Journal of Materials Science, 2011, 46(17), pp. 32-36, doi:10.1007/s10853-010-5114-0.
Wang Y., Zhang Y., & Wang Y. Strain-dependent electronic and thermoelectric properties of LiZn (X = As, P, and Sb) half-Heusler alloys: A first-principles study. Journal of Alloys and Compounds, 2021, 855, pp. 157297, doi:10.1016/j.jallcom.2020.157297.
Liu X., Zheng Z., & Xu Z. First-principles study on spin-dependent transport properties of LiZn (X = As, P, and Sb) half-Heusler alloys. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2020, 503, pp. 166599, doi:10.1016/j.jmmm.2020.166599.
Nolas G. S., Cohn J. L., & Slack G. A. Semiconducting Ge-rich alloys in the TiNiSi structure. Applied Physics Letters, 2018, 79(2), pp. 173-175, doi:10.1063/1.1387641.
Biswas K., & Blum I. D. High-performance bulk thermoelectrics with all-scale hierarchical architectures. Nature, 2012, 489(7416), pp. 414-418, doi:10.1038/nature11439.
Chen L., & Wang X. L. Half-Heusler alloys for thermoelectric applications: A comprehensive review. Chinese Physics B, 2013, 22(6), pp. 242-246, doi:10.1088/1674-1056/22/6/067201.
Hong J., Kim J., & Lee H. Y. Enhanced thermoelectric properties of half-Heusler LiZnSb alloys through alloying and resonant states. Journal of Applied Physics, 2020, 128(12), pp. 125101, doi:10.1063/5.0023882.
Perdew P. J., Burke K., & Ernzerhof M. Generalized Gradient Approximation Made Simple. Physical Review Letters, 1996, 77, pp. 3865, doi:10.1103/PhysRevLett.77.3865.
Gospodarev I., Grishaeev V., Manzhelii E., Syrkin E., Feodosyev S., Minakova K. Phonon heat capacity of graphene nanofilms and nanotubes. Low Temperature Physics, 2017, 43(2), pp. 264-273, doi:10.1063/1.4976448.
Eremenko V., Sirenko V., Gospodarev I., Syrkin E., Feodosyev S., Bondar I., Minakova K. Electron and phonon states localized near the graphene boundary. Low Temperature Physics, 2017, 43(11), pp. 1323-1331, doi:10.1063/1.4989561.
Eremenko V., Sirenko V., Gospodarev I., Syrkin E., Feodosyev S., Bondar I., Minakova K. Electron spectra of graphene with local and extended defects. Journal of Physics: Conference Series, 2018, 969(1), pp. 012021, doi:10.1088/1742-6596/969/1/012021.
Sirenko V., Gospodarev I., Syrkin E., Feodosyev S., Minakova K. Low dimensional features of graphene nanostructure stability and vibrational characteristics. Low Temperature Physics, 2020, 46(3), pp. 232-257, doi:10.1063/10.0001912.
Feodosyev S., Gospodarev I., Syrkin E., Sirenko V., Bondar I., Minakova K. Propagation and localization of phonons in graphite and graphene nanofilms. Low Temperature Physics, 2022, 48(2), pp. 121-125, doi:10.1063/10.0004776.
Feodosyev S., Gospodarev I., Sirenko V., Syrkin E., Bondar I., Minakova K. Features of the propagation of phonons in graphene nanostructures. Fast high-frequency phonons in a quasi-flexural mode. Low Temp. Phys., 2022, 48(8), pp. 628-633, doi:10.1063/5.0060314.
Feodosyev S., Sirenko V., Syrkin E., Manzhelii E., Bondar I., Minakova K. Localized and quasi-localized energy levels in the electron spectrum of graphene with isolated boron and nitrogen substitutions. Low Temp. Phys., 2023, 49(1), pp. 30-37, doi:10.1063/5.0060314.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Журнал публікує статті згідно з ліцензією Creative Commons Attribution International CC-BY.