Тунельна кристалізація кремнію, германію

Иван Федорович Червоный, Евгений Яковлевич Швец, Юрий Викторович Головко, Сергей Геннадиевич Егоров

Анотація


Запропоновано механізм «туннельного» переходу густини при прискореній кристалізації кремнію та германію, що враховує кристалохімічні аспекти кристалізації атомарних напівпроводників


Ключові слова


Кремній; германій; структура; густина; механізм кристалізації

Повний текст:

PDF (Русский)

Посилання


Багдасаров Х.С. Высокотемпературная кристаллизация из расплава / Х.С. Багдасаров. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2004. – 160 с.

Пат. 34160 Україна, МПК (2006) С30В. Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву / Воляр Р.М., Головко Ю.В., Єгоров С.Г., Пожуєв І.В., Швець Є.Я.; заявник і патентовласник Запорізька держ. інж. акад. – № u 2008 04036; заявл. 31.03.2008; опубл. 25.07.2008, Бюл. № 14.

Пат. 35367 Украина, МПК С 30 В 15/00. Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву / Пожуєв В.І., Воляр Р.М., Головко Ю.В., Єгоров С.Г., Швець Є.Я.; заявник й патентовласник Запорізька держ. інж. акад. – № u 2008 05593; заявл. 29.04.2008; опубл. 10.09.2008.

Технология полупроводникового кремния / [Фалькевич Э.С., Пульнер Э.О., Червоный И.Ф. и др.]; под ред. Э.С. Фалькевича. – М.: Металлургия, 1982. – 408 с.

Воронков В.В. Влияние скорости роста и температурного градиента на тип микродефектов в бездислокационном кремнии / В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, Н.В. Веселовская, М.Г. Веселовская, И.Ф. Червоный // Кристаллография. – 1984.- Вып. 6. – С. 1176-1181.

Червоный И.Ф., Швец Е.Я., Головко Ю.В., Егоров С.Г. Механизм ускоренной кристаллизации кремния // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. 2011. T. 6, N 5(54). С. 19-22. Режим доступу : URL : http://journals.uran.ua/eejet/article/view/2274.

Полтавцев Ю.Г. Структура полупроводниковых расплавов / Ю.Г. Полтавцев. – М.: Металлургия, 1984. – 178 с.

Шаскольская М.П. Кристаллография / М.П. Шаскольская. – М.: Высш. Школа, 1976. – 391 с.

Глазов В.М. Жидкие полупроводники / В.М. Глазов, С.Н. Чижевская, Н.Н. Глаголева. – М.: Наука, 1967. – 244 с.

Сорокин Л.М. Механизм образования микродефектов при выра-щивании бездислокационных монокристаллов кремния / Л.М. Сорокин, А.А. Ситникова, И.Ф. Червоный, Э.С. Фалькевич // Физика твердого тела. – 1991. – Том 33. - № 11. - С. 3229-3234.

Казимиров В.П. Характер упорядочения атомов в расплаве и поверхностные свойства простых эвтектических систем / В.П. Казимиров, А.С. Роик, В.М. Перевертайло, О.Б. Логинова, С.А. Лисовенко // Сверхтвердые материалы. – 2008. - №4. – С. 35.- 52. www.ism.kiev.ua

Tsuji К. Pressure dependence of the structure of liquid group 14 elements / К. Tsuji., T. Hattrori, T. Mori et al // J. Phys.: Condens. Matter.- 2004. - № 16.- P. 989-996.

Goto R. Structural and electronic properties of liquid Ge—Sn alloys: ab initio molecular-dynamic simulation / R. Goto, F. Shimojo, S. Nunejiri, K. Hoshino // J. Phys. Soc. Japan. - 2004. - 73, № 10.- P. 2746-2752.


Пристатейна бібліографія ГОСТ




Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.