Тунельна кристалізація кремнію, германію
Ключові слова:
Кремній, германій, структура, густина, механізм кристалізаціїАнотація
Запропоновано механізм «туннельного» переходу густини при прискореній кристалізації кремнію та германію, що враховує кристалохімічні аспекти кристалізації атомарних напівпроводників
Посилання
Багдасаров Х.С. Высокотемпературная кристаллизация из расплава / Х.С. Багдасаров. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2004. – 160 с.
Пат. 34160 Україна, МПК (2006) С30В. Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву / Воляр Р.М., Головко Ю.В., Єгоров С.Г., Пожуєв І.В., Швець Є.Я.; заявник і патентовласник Запорізька держ. інж. акад. – № u 2008 04036; заявл. 31.03.2008; опубл. 25.07.2008, Бюл. № 14.
Пат. 35367 Украина, МПК С 30 В 15/00. Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву / Пожуєв В.І., Воляр Р.М., Головко Ю.В., Єгоров С.Г., Швець Є.Я.; заявник й патентовласник Запорізька держ. інж. акад. – № u 2008 05593; заявл. 29.04.2008; опубл. 10.09.2008.
Технология полупроводникового кремния / [Фалькевич Э.С., Пульнер Э.О., Червоный И.Ф. и др.]; под ред. Э.С. Фалькевича. – М.: Металлургия, 1982. – 408 с.
Воронков В.В. Влияние скорости роста и температурного градиента на тип микродефектов в бездислокационном кремнии / В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, Н.В. Веселовская, М.Г. Веселовская, И.Ф. Червоный // Кристаллография. – 1984.- Вып. 6. – С. 1176-1181.
Червоный И.Ф., Швец Е.Я., Головко Ю.В., Егоров С.Г. Механизм ускоренной кристаллизации кремния // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. 2011. T. 6, N 5(54). С. 19-22. Режим доступу : URL : http://journals.uran.ua/eejet/article/view/2274.
Полтавцев Ю.Г. Структура полупроводниковых расплавов / Ю.Г. Полтавцев. – М.: Металлургия, 1984. – 178 с.
Шаскольская М.П. Кристаллография / М.П. Шаскольская. – М.: Высш. Школа, 1976. – 391 с.
Глазов В.М. Жидкие полупроводники / В.М. Глазов, С.Н. Чижевская, Н.Н. Глаголева. – М.: Наука, 1967. – 244 с.
Сорокин Л.М. Механизм образования микродефектов при выра-щивании бездислокационных монокристаллов кремния / Л.М. Сорокин, А.А. Ситникова, И.Ф. Червоный, Э.С. Фалькевич // Физика твердого тела. – 1991. – Том 33. - № 11. - С. 3229-3234.
Казимиров В.П. Характер упорядочения атомов в расплаве и поверхностные свойства простых эвтектических систем / В.П. Казимиров, А.С. Роик, В.М. Перевертайло, О.Б. Логинова, С.А. Лисовенко // Сверхтвердые материалы. – 2008. - №4. – С. 35.- 52. www.ism.kiev.ua
Tsuji К. Pressure dependence of the structure of liquid group 14 elements / К. Tsuji., T. Hattrori, T. Mori et al // J. Phys.: Condens. Matter.- 2004. - № 16.- P. 989-996.
Goto R. Structural and electronic properties of liquid Ge—Sn alloys: ab initio molecular-dynamic simulation / R. Goto, F. Shimojo, S. Nunejiri, K. Hoshino // J. Phys. Soc. Japan. - 2004. - 73, № 10.- P. 2746-2752.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Журнал публікує статті згідно з ліцензією Creative Commons Attribution International CC-BY.
