ОПТИМИЗАЦИЯ ТЕПЛОВЫХ УСЛОВИЙ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО

И. Ф. ЧЕРВОНЫЙ, Е. А. ГОЛЕВ

Анотація


Рассмотрены приемы оптимизации теплового узла для выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского. Для создания заданных тепловых условий выращивания монокристаллов в конструкцію теплового узла вводятся дополнительные теплоизолирующие экраны и специальный верхний конусный экран. Совместное действие системы дополнительных экранов и расположение теплового узла позволило снизить непроизводительные потери тепла, в результате чего потребляемая нагревателем мощность снизилась на 33 %.


Повний текст:

PDF (Русский)

Посилання


Фалькевич, Э. С. Технология полупроводникового кремния [Текст] / Э. С. Фалькевич, Э. О. Пульнер, И. Ф. Червоный, Л. Я. Шварцман, В. Н. Ярким, И. В. Салли, Э. О. Пульнер. – М.: Металлургия, 1992. – 408 с.

Okano, Y. Numerical simulation of oscillatory flow in melt during insb single crystal growth by rf heating Czochralski method [Electronic resource] / Y. Okano, N. Audet, S. Dost, Y. Hayakawa, M. Kumagawa // Available at:: http://booksc.org/book/94803.

Scheel, H. J. Optimum convection conditions for Czochralski growth of semiconductors [Electronic resource] / H. J. Scheel, J. T. Sielawa // Available at: http://hans-scheel.ch/pdf/Pub_040.pdf.

Patent US5683505 United States Patent, Int. Cl.6 C30B 15/20, Process for producing single crystals [Text] / Kuramochi K., Okamoto S. – Assignee: Sumitomo Sitix Corporation, Amagasaki, Japan. – Appl. No.: 607,401 ; Filed: Feb. 27, 1996 ; Date of Patent: Nov. 4, 1997. – 13 p. – Available at: http://www.google.com.ar/patents/US5683505.

Wolfram, M. Numerical simulation of bulk crystal growth on different scales: silicon and GeSi [Text] / M. Wolfram // Phys. Status Solidi B. – 2010. – Vol. 247, Issue 4. – P. 885–869. – Available at: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssb.200945541/abstract.

Patent US5667584 United States Patent, Int. Cl.6 C30B 15/20, Method for the preparation of a single crystal of silicon with decreased crystal defects [Текст] / Takano K., Iino E., Sakurada M., Yamagishi H. – Assignee: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.. Tokyo, Japan. – Appl. No.: 565,100; Filed: Nov. 30, 1995; Date of Patent: Sep. 16, 1997. – 8 p. – Available at: http://www.google.com.ar/patents/US5667584.

Huaxiong, H. Thermal stress reduction for a Czochralski grown single crystal [Electronic resource] / H. Huaxiong, L. Shuqing // Available at: http://www.math.yorku.ca/Who/Faculty/hhuang/papers/opt-jem-final.pdf.

Головко, О. П. Энергосберегающий тепловой узел установки для выращивания монокристаллов кремния [Текст] / О. П. Головко, A. C. Голев, А. Б. Комаров, И. Ф. Червоный, Е. Я. Швец, Р. H. Воляр // Металлургическая и горнорудная промышленность. – 2016. – № 6. – С. 90–93.

Ковтун, Г. П. Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского [Текст] / Г. П. Ковтун, А. И. Кравченко, А. И. Кондрик, А. П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2004. – № 6. – С. 3–6.

Оксанич, А. П. Виртуальный датчик для мониторинга температуры фонового нагревателя в тепловом узле установки для выращивания монокристаллов арсенида галлия [Электронная версия] / А. П. Оксанич, И. В. Шевченко, Ю. А. Краснопольская / Режим доступа: http://open-archive.kture.kharkov.ua/bitstream/123456789/876/1/ASU_156_2011%20(16-26).pdf. 15.09.2014.

Оксанич, А. П. Математическое моделирование геометрии теплового узла и разработка экспериментальной установки для выращивания слитков германия диаметром 100 мм методом Чохральского [Текст] / А. П. Оксанич, В. В. Малеванный // Вісник КрНУ імені Михайла Остроградського. – 2012. – Вип. 6 (77). – С. 11–16.


Пристатейна бібліографія ГОСТ




Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.