ОПТИМИЗАЦИЯ ТЕПЛОВЫХ УСЛОВИЙ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО
Анотація
Рассмотрены приемы оптимизации теплового узла для выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского. Для создания заданных тепловых условий выращивания монокристаллов в конструкцію теплового узла вводятся дополнительные теплоизолирующие экраны и специальный верхний конусный экран. Совместное действие системы дополнительных экранов и расположение теплового узла позволило снизить непроизводительные потери тепла, в результате чего потребляемая нагревателем мощность снизилась на 33 %.
Посилання
Фалькевич, Э. С. Технология полупроводникового кремния [Текст] / Э. С. Фалькевич, Э. О. Пульнер, И. Ф. Червоный, Л. Я. Шварцман, В. Н. Ярким, И. В. Салли, Э. О. Пульнер. – М.: Металлургия, 1992. – 408 с.
Okano, Y. Numerical simulation of oscillatory flow in melt during insb single crystal growth by rf heating Czochralski method [Electronic resource] / Y. Okano, N. Audet, S. Dost, Y. Hayakawa, M. Kumagawa // Available at:: http://booksc.org/book/94803.
Scheel, H. J. Optimum convection conditions for Czochralski growth of semiconductors [Electronic resource] / H. J. Scheel, J. T. Sielawa // Available at: http://hans-scheel.ch/pdf/Pub_040.pdf.
Patent US5683505 United States Patent, Int. Cl.6 C30B 15/20, Process for producing single crystals [Text] / Kuramochi K., Okamoto S. – Assignee: Sumitomo Sitix Corporation, Amagasaki, Japan. – Appl. No.: 607,401 ; Filed: Feb. 27, 1996 ; Date of Patent: Nov. 4, 1997. – 13 p. – Available at: http://www.google.com.ar/patents/US5683505.
Wolfram, M. Numerical simulation of bulk crystal growth on different scales: silicon and GeSi [Text] / M. Wolfram // Phys. Status Solidi B. – 2010. – Vol. 247, Issue 4. – P. 885–869. – Available at: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssb.200945541/abstract.
Patent US5667584 United States Patent, Int. Cl.6 C30B 15/20, Method for the preparation of a single crystal of silicon with decreased crystal defects [Текст] / Takano K., Iino E., Sakurada M., Yamagishi H. – Assignee: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.. Tokyo, Japan. – Appl. No.: 565,100; Filed: Nov. 30, 1995; Date of Patent: Sep. 16, 1997. – 8 p. – Available at: http://www.google.com.ar/patents/US5667584.
Huaxiong, H. Thermal stress reduction for a Czochralski grown single crystal [Electronic resource] / H. Huaxiong, L. Shuqing // Available at: http://www.math.yorku.ca/Who/Faculty/hhuang/papers/opt-jem-final.pdf.
Головко, О. П. Энергосберегающий тепловой узел установки для выращивания монокристаллов кремния [Текст] / О. П. Головко, A. C. Голев, А. Б. Комаров, И. Ф. Червоный, Е. Я. Швец, Р. H. Воляр // Металлургическая и горнорудная промышленность. – 2016. – № 6. – С. 90–93.
Ковтун, Г. П. Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского [Текст] / Г. П. Ковтун, А. И. Кравченко, А. И. Кондрик, А. П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2004. – № 6. – С. 3–6.
Оксанич, А. П. Виртуальный датчик для мониторинга температуры фонового нагревателя в тепловом узле установки для выращивания монокристаллов арсенида галлия [Электронная версия] / А. П. Оксанич, И. В. Шевченко, Ю. А. Краснопольская / Режим доступа: http://open-archive.kture.kharkov.ua/bitstream/123456789/876/1/ASU_156_2011%20(16-26).pdf. 15.09.2014.
Оксанич, А. П. Математическое моделирование геометрии теплового узла и разработка экспериментальной установки для выращивания слитков германия диаметром 100 мм методом Чохральского [Текст] / А. П. Оксанич, В. В. Малеванный // Вісник КрНУ імені Михайла Остроградського. – 2012. – Вип. 6 (77). – С. 11–16.
##submission.downloads##
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Журнал публікує статті згідно з ліцензією Creative Commons Attribution International CC-BY.
