Вивчення процесів кристалізації карбіду кремнію шляхом спільного розкладання тетрахлориду кремнію і толуолу в присутності водню

П. И. Глушко, А. Ю. Журавлев, В. Л. Капустин, Н. А. Семёнов, Н. А. Хованский, Б. М. Широков, А. В. Шиян

Анотація


Описано принцип отримання карбіду кремнію на установці проточного типу. Залежно від різного співвідношення між активними компонентами газової фази SiCl4: C7H8, які надходять в реактор, досліджена і вивчена морфологія SiC шару. Показано вплив швидкості парогазового потоку і температури підкладки на швидкість осадження SiC


Повний текст:

PDF (Русский)

Посилання


Bhatnagar M.; Baliga, B.J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices // IEEE Transactions on Electron Devices. -Март 1993. — В. 3. — С. 645–655.

Harris, Gary Lynn. Свойства карбида кремния // Properties of silicon carbide. — United Kingdom: IEE, 1995. — 282 с. — P. 19; 170–180.

Зелёнин В.В., Корогодский М.Л., Лебедев А.А. Некоторые аспекты газофазной эпитаксии карбида кремния // Физика и техника полупроводников. – 2001. – Т 35. - Вып. 10.

Minagva S., Gatos H.C. Japan. J. Apple. Phys. - 1680 (1971). - 10 (12). 5. Зеленин В.В., Соловьёв В.А., Старобинец С.М., Конников С.Г., Челноков В.Е. // ФТП. – 1995. – вып 29 (6). – С. 1122.


Пристатейна бібліографія ГОСТ