Вивчення процесів кристалізації карбіду кремнію шляхом спільного розкладання тетрахлориду кремнію і толуолу в присутності водню

Автор(и)

  • П. И. Глушко ННЦ «ХФТИ» г. Харьков, Україна
  • А. Ю. Журавлев ННЦ «ХФТИ» г. Харьков, Україна
  • В. Л. Капустин ННЦ «ХФТИ» г. Харьков, Україна
  • Н. А. Семёнов ННЦ «ХФТИ» г. Харьков, Україна
  • Н. А. Хованский ННЦ «ХФТИ» г. Харьков, Україна
  • Б. М. Широков ННЦ «ХФТИ» г. Харьков, Україна
  • А. В. Шиян ННЦ «ХФТИ» г. Харьков, Україна

Анотація

Описано принцип отримання карбіду кремнію на установці проточного типу. Залежно від різного співвідношення між активними компонентами газової фази SiCl4: C7H8, які надходять в реактор, досліджена і вивчена морфологія SiC шару. Показано вплив швидкості парогазового потоку і температури підкладки на швидкість осадження SiC

Біографії авторів

П. И. Глушко, ННЦ «ХФТИ» г. Харьков

Кандидат технических наук, старший научный сотрудник

А. Ю. Журавлев, ННЦ «ХФТИ» г. Харьков

Младший научный сотрудник

В. Л. Капустин, ННЦ «ХФТИ» г. Харьков

Начальник группы

Н. А. Семёнов, ННЦ «ХФТИ» г. Харьков

Заместитель начальник отдела

Н. А. Хованский, ННЦ «ХФТИ» г. Харьков

Ведущий инженер-исследователь

Б. М. Широков, ННЦ «ХФТИ» г. Харьков

Доктор технических наук, старший научный сотрудник

А. В. Шиян, ННЦ «ХФТИ» г. Харьков

Инженер-исследователь ІІ категории

Посилання

Bhatnagar M.; Baliga, B.J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices // IEEE Transactions on Electron Devices. -Март 1993. — В. 3. — С. 645–655.

Harris, Gary Lynn. Свойства карбида кремния // Properties of silicon carbide. — United Kingdom: IEE, 1995. — 282 с. — P. 19; 170–180.

Зелёнин В.В., Корогодский М.Л., Лебедев А.А. Некоторые аспекты газофазной эпитаксии карбида кремния // Физика и техника полупроводников. – 2001. – Т 35. - Вып. 10.

Minagva S., Gatos H.C. Japan. J. Apple. Phys. - 1680 (1971). - 10 (12). 5. Зеленин В.В., Соловьёв В.А., Старобинец С.М., Конников С.Г., Челноков В.Е. // ФТП. – 1995. – вып 29 (6). – С. 1122.

##submission.downloads##

Опубліковано

2011-10-01

Як цитувати

Глушко, П. И., Журавлев, А. Ю., Капустин, В. Л., Семёнов, Н. А., Хованский, Н. А., Широков, Б. М., & Шиян, А. В. (2011). Вивчення процесів кристалізації карбіду кремнію шляхом спільного розкладання тетрахлориду кремнію і толуолу в присутності водню. Вісник Національного технічного університету «ХПІ». Серія: Нові рішення у сучасних технологіях, (5), 26–29. вилучено із http://vestnik2079-5459.khpi.edu.ua/article/view/5293

Номер

№ 5 (2011): Вісник Національного технічного університету "ХПІ". Серія: Нові рішення у сучасних технологіях

Розділ

Технології органічних і неорганічних речовин та екологія

Ліцензія

Журнал публікує статті згідно з ліцензією Creative Commons Attribution International CC-BY.